Максимальное напряжение к-э, В | 1200 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2.5 |
Номинальный ток одиночного транзистора, А | 200 |
Структура модуля | полумост |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Максимальная частота модуляции, кГц | 25 |
Входная емкость затвора, нФ | 40 |
Мощность привода, кВт | - |
Драйвер управления | внешний |
Защита по току | нет |
Защита от короткого замыкания | нет |
Защита от перегрева | нет |
Защита от пониженного напряжения питания | нет |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 1500 |
Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ), В | 20 |
Напряжение эмиттер-коллектор, В | 3.4 |
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке, нс | 400 |
Напряжение изоляции, В | 2500 |
Температурный диапазон, С | -40...150 |
Производитель | Mitsubishi Electric Semiconductor |
IGBT модуль CM200DY-24H
Наличие: Под заказ
Сборка из двух IGBT транзисторов включенные в полумост 1200V 200A 3-gen (H-Series)
Цену уточняйте у менеджера
с учетом НДС
Не работаем
с физическими лицами