| Тип модуля | IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2,5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 105 А |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 320 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Рабочая температура | -40...+150 С |
| Габариты, мм | 94*34*30,5 |
| Pd - рассеивание мощности | 625 W |
| Монтаж | винтами |
| Производитель | Infineon |
IGBT модуль BSM75GB120DN2HOSA1
Наличие: Под заказ
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), 1200 В, 75 А
11380
с учетом НДС
Не работаем
с физическими лицами